Началось массовое изготовление небольших eUFS-накопителей размером 512 ГБ

Организация Samsung объявила о старте массового изготовления 512-гигабайтных накопителей embedded Universal Flash Storage (eUFS), которые рассчитаны для применения в мобильных устройствах последующего поколения. В небольшом корпусе нового механизма находится восемь 64-слойных 512-гигабитных микросхем V-NAND и контроллер для управления их деятельностью.

Общей величины хватит для сбережения 130 10-минутных видеороликов в разрешении 4K Ultra HD (3840 x 2160), что в десять раз больше, нежели позволяют современные 64-гигабайтные eUFS-накопители. Вместе с тем коэффициенты работоспособности нового устройства также пребывают на высоте. Отчасти, последовательная скорость чтения и записи составляет 860 и 255 МБ/с соответственно, что гораздо больше показателей карт microSD. При произвольных операциях скорости чтения и записи достигают 42 000 и 40 000 IOPS. Для сопоставления: у карты microSD они пребывают на уровне 100 IOPS.

Помимо 64-слойных 512-гигабитных микросхем, корпорация Samsung анонсировала увеличение выпуска 256-гигабитных V-NAND-чипов, что даст возможность разнообразить портфолио небольших моделей для хранения информации.