Samsung Запускает Массовое Производство Флэш-Памяти 3D Vertical NAND

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых на рынке стереоскопических чипов флэш-памяти под названием 3D Vertical NAND (V-NAND). Чипы, призванные заменить традиционные решения NAND, разрабатываются по совершенно новой технологии и уже в скором времени будут внедрены в ряд девайсов (бытовые электронные устройства, встроенные системы и хранилища, а также в твердотельные накопители SSD). По словам производителя, новинки смогут обеспечить беспрецедентную производительность, благодаря более высокой плотности ячеек.

Samsung 3D Vertical NAND объединяет в себе две прогрессивные технологии: 3D Charge Trap Flash и Vertical Interconnect Process. Первая подразумевает использование вертикальной структуры ячеек на чипе, а вторая – нахождение путей стереоскопической связи между массивами ячеек. На протяжении нескольких десятилетий в чипах флэш-памяти использовалась планарная структура ячеек с плавающим затвором; на данном этапе развития технологий она оказывается неэффективной, ввиду вероятности «конфликта» между соседними ячейками.

В новых чипах вместо плавающего затвора Samsung применила архитектуру CTF. В ее основе лежит электронный заряд, который помещается в клапанную камеру непроводящего слоя, состоящего из нитрида кремния (SiN). Архитектура CTF позволила значительно улучшить скоростные показатели флэш-памяти, в сравнении с традиционными решениями, а также позволила увеличить плотность ячеек в чипе. Вертикальная структура дала возможность разработчикам разместить 24 слоя ячеек на одной печатной плате; при этом, все слои соединяются между собой посредством перфорированной пробивки: от самого верхнего слоя до самого нижнего.

По прогнозам аналитиков, появление первых полностью функциональных чипов 3D Vertical NAND укрепит позиции компании на мировом рынке флэш-памяти. Более того, новейшие разработки обрисовывают хорошие перспективы Samsung в производстве 1-терабитных чипов в скором будущем.